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GIS绝缘子在冲击电压下沿面闪络的分析
ANALYSIS OF THE SURFACE FLASHOVER ON GIS BASIN INSULATOR UNDER LIGHTNING IMPULSE VOLTAGE
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]平顶山天鹰集团有限责任公司,河南平顶山467001
年 份:2003
卷 号:39
期 号:6
起止页码:14-16
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用计算和试验两种方法,对在SF_6气体中的绝缘子施加冲击电压下的电场及其引起的沿面闪络原因进行了剖析,指出在冲击电压作用下,增加屏蔽罩是减弱电极结构所引起的电场垂直分量的一条行之有效的途径;沿面闪络主要取决于电场分布的均匀度和绝缘子表面受周围环境导电微粒污染这两个基本因素;电极形状导致的局部场强增大,靠增加绝缘子沿面闪络距离不能明显提高沿面闪络电压。
关 键 词:全封闭组合电器 GIS 绝缘子 冲击电压 沿面闪络 电场 负极性
分 类 号:TM216[材料类]
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