文献类型：期刊文章

作　　者：雷红[1] 雒建斌[2] 张朝辉[2]

机构地区：[1]上海大学纳米中心,上海200436 [2]清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《上海大学学报（自然科学版）》

年　　份：2003

卷　　号：9

期　　号：6

起止页码：494-502

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

关 键 词：表面微加工  化学机械抛光 平整化  研究进展  微电子制造 集成电路芯片 计算机硬磁盘  

分 类 号：TG175]