文献类型：期刊文章

作　　者：尹鑫[1] 王继扬[1] 张少军[1]

机构地区：[1]山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家 973项目 (19980 614 0 3 );教育部博士点基金(2 0 0 2 0 42 2 0 7)资助课题

年　　份：2003

卷　　号：23

期　　号：12

起止页码：1484-1488

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应 ,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l ,以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l+ (π/λ) (n2 -n1)l 。根据这些表达式给出的关系 ,将典型的旋光晶体La3Ga5 SiO14制作成了电光Q开关 ,像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中 ,La3Ga5 SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾 (DKDP)

关 键 词：旋光晶体  电光开关 光学器件 电光效应 偏光干涉  旋光性 硅酸镓镧晶体  物理光学

分 类 号：O436.3] O734.1]