文献类型：期刊文章

作　　者：尹鑫[1] 王继扬[1] 张少军[1]

机构地区：[1]山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家 973项目 (G19980 6 14 0 3);教育部博士点基金 (2 0 0 2 0 4 2 2 0 0 7)资助课题

年　　份：2004

卷　　号：31

期　　号：1

起止页码：29-32

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态 ,建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究 ,得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图 ,并将典型的旋光晶体La3 Ga5SiO14

关 键 词：旋光性 电光效应 偏光干涉  电光Q开关 旋光晶体  激光腔 La3Ga5SiO14晶体  

分 类 号：TN243]