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Ce掺杂的TiO_2电容-压敏材料结构和电性能研究
The Microstructure and Electric Properties of TiO_2 Based Capacitor-varistor Multi-function Ceramics Doped Ce
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山西大学工程学院建筑工程与管理系材力教研室,山西太原030013 [2]广州新日电子有限公司,广东广州510335 [3]清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
基 金:清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金(X.GZ0207)
年 份:2003
期 号:6
起止页码:38-42
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、RCCSE、核心刊
摘 要:通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。
关 键 词:二氧化钛 压敏电阻器 电容 二氧化铈
分 类 号:TN379]
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