文献类型：期刊文章

作　　者：马群刚[1,2] 周刘飞[3] 喻玥[3] 马国永[3] 张盛东[1,2]

Ma Qun-Gang;Zhou Liu-Fei;Yu Yue;Ma Guo-Yong;Zhang Sheng-Dong(School of Electronic and Computer Engineering,Peking University,Shenzhen 518055,China;School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871,China;Nanjing CEC Panda FPD Technology Co.,Ltd.,Nanjing 210033,China)

机构地区：[1]北京大学信息工程学院,深圳518055 [2]北京大学信息科学技术学院,北京100871 [3]南京中电熊猫平板显示科技有限公司,南京210033

出　　处：《物理学报》

年　　份：2019

卷　　号：68

期　　号：10

起止页码：290-296

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文通过解析阵列基板栅极驱动(gate driver on array, GOA)电路中发生静电释放(electro-static discharge,ESD)的InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin-film transistor, IGZO TFT)器件发现:栅极Cu金属扩散进入了SiN_x/SiO_2栅极绝缘层;源漏极金属层成膜前就发生了ESD破坏;距离ESD破坏区域越近的IGZO TFT,电流开关比越小,直到源漏极与栅极完全短路.本文综合IGZO TFT器件工艺、GOA区与显示区金属密度比、栅极金属层与绝缘层厚度非均匀性分布等因素,采用ESD器件级分析与系统级分析相结合的方法,提出栅极Cu:SiN_x/SiO_2界面缺陷以及这三层薄膜的厚度非均匀分布是导致GOA电路中沟道宽长比大的IGZO TFT发生ESD失效的关键因素,并针对性地提出了改善方案.

关 键 词：CU互连 InGaZnO薄膜晶体管  阵列基板栅极驱动  静电释放

分 类 号：TN321.5]