文献类型：期刊文章

作　　者：郭道友[1] 李培刚[2,3] 陈政委[2] 吴真平[2] 唐为华[2,3]

Guo Dao-You;Li Pei-Gang;Chen Zheng-Wei;Wu Zhen-Ping;Tang Wei-Hua(Center for Optoelectronics Materials and Devices,Department of Physics,Zhejiang Sci-Tech University,Hangzhou 310018,China;Laboratory of Information Functional Materials and Devices,School of Science,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876,China;State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876,China)

机构地区：[1]浙江理工大学物理系光电材料与器件中心,杭州310018 [2]北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室,北京100876 [3]北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61704153;51572241;61774019;51572033);北京市科委(批准号:SX2018-04)资助的课题~~

年　　份：2019

卷　　号：68

期　　号：7

起止页码：7-42

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga_20_3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga_2O_3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga_2O_3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga_2O_3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×10~3A/W,响应时间为20μs.

关 键 词：GA2O3 超宽带隙半导体  日盲探测器  深紫外透明电极  

分 类 号：TN23] TN304