文献类型：期刊文章

作　　者：程知群[1,2,3] 张志维[1] 刘国华[1] 孙昊[2] 蔡勇[3]

CHENG Zhi-qun;ZHANG Zhi-wei;LIU Guo-hua;SUN Hao;CAI Yong(Key Laboratory of RF Circuit and System,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Key Laboratory of Electronic Measurement Technology,Anhui Province,The 41 st Institute of CETC,Bengbu 233010,China;Key Laboratory of Nano-devices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China)

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018 [2]中国电子科技集团公司第四十一研究所电子信息测试技术安徽省重点实验室,蚌埠233010 [3]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生学研究所纳米器件与应用重点实验室,苏州215123

出　　处：《微波学报》

基　　金：国家自然科学基金(61871169);浙江省自然科学基金(LZ16F010001)

年　　份：2019

卷　　号：35

期　　号：2

起止页码：34-37

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD_E2019_2020、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。

关 键 词：高效率  GaN  HEMT 补偿输出电容  EF类功率放大器  谐波控制

分 类 号：TN722.75]