文献类型：期刊文章

作　　者：李新峰[1] 魏光辉[1] 潘晓东[1] 王琳[2]

机构地区：[1]军械工程学院静电与电磁防护研究所 [2]中国人民解放军77108部队

出　　处：《微波学报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(613138);武器预研项目(51333030101);国家自然科学基金(61372040)

年　　份：2015

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：9-15

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为分析金属导体贯通腔体时导体腔内端接负载电路的电磁脉冲耦合响应,基于时域有限积分方法的电磁数值计算软件CST建立了贯通导体端接负载电磁辐射响应耦合模型,研究了高斯脉冲作用条件下入射电场角度、贯通孔径、外部导体长度、端接负载等对终端负载响应的作用规律,分析了耦合机理。基于GTEM室搭建了实验平台,在贯通导体两端开路条件下,通过测量腔体的屏蔽效能,与数值计算结果对比,两者吻合较好。结果表明:贯通导体方向的电场分量大小对终端负载耦合电压影响显著;入射波长远大于贯通孔径时,贯通导体为主要耦合通道;负载耦合响应与裸露导体长度、导体半径成正比;负载变化时,自身响应电压随阻值变化,而对另一端负载响应电压影响不大,两端阻值变化导致负载响应电压波形的衰减振荡不同;容性或感性阻抗是影响响应电压及频率的关键因素之一。

关 键 词：贯通导体  金属腔体  高斯脉冲 吉赫横电磁波传输室  端接负载  耦合电压  

分 类 号：TN03]