文献类型：期刊文章

作　　者：叶志镇[1] 张银珠[1] 陈汉鸿[1] 何乐年[2] 邹璐[1] 黄靖云[1] 吕建国[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]浙江大学电机系,浙江杭州310027

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家重点基础研究专项经费"973"(No .G2 0 0 0 0 683 0 6)

年　　份：2003

卷　　号：31

期　　号：11

起止页码：1605-1607

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004148102953)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W .

关 键 词：ZNO薄膜 光电导紫外探测器  欧姆接触 光响应度

分 类 号：TN957.52]