文献类型：期刊文章

作　　者：酆达[1] 李铮[1] 唐丹[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学电子信息工程学院光电与信息工程系,北京100083 [2]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金 中国工程物理研究院联合基金 (项目编号 :1 0 1 76 0 0 1 )资助项目

年　　份：2003

卷　　号：32

期　　号：11

起止页码：1316-1320

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：选择适当的连续函数描述了熔锥型耦合器熔锥形状的渐变特性及其相互位置关系 ,然后分别应用局部模式理论和变分法分析了横截面沿纵向变化的锥形区域和横截面近似不变的耦合区域内的耦合行为 ,得出了耦合器中任一横截面处的耦合系数和耦合功率表达式 计算表明 ,熔锥型耦合器的总功率耦合主要发生在耦合区域 ,在两锥形区域 ,对于纤芯归一化频率小于 1 .0 8的部分 ,也发生了相当程度的耦合 为了使耦合器的理论模型更接近于实际物理情况 ,锥形区域的耦合作用也是不容忽略的 。

关 键 词：光纤耦合器 熔锥型 单模光纤

分 类 号：TN253]