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期刊文章详细信息

CMOS电压基准的设计原理    

Design Guidelines of CMOS Voltage References

  

文献类型:期刊文章

作  者:王红义[1] 王松林[1] 来新泉[1] 孙作治[1]

机构地区:[1]西安电子科技大学电路CAD研究所,陕西西安710071

出  处:《微电子学》

年  份:2003

卷  号:33

期  号:5

起止页码:415-418

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要: 电压基准是集成电路一个重要的构成单元。结合多年设计经验,介绍了五类CMOS电压基准的设计原理、理论推导、参考电路、特点和主要性能指标,给出了主要参数的计算公式。最后,对各种CMOS电压基准的性能进行了比较。

关 键 词:CMOS 电压基准 集成电路 设计原理 性能指标

分 类 号:TN432]

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同被引文献:

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