文献类型：期刊文章

作　　者：郭东明[1] 康仁科[1] 苏建修[1] 金洙吉[1]

机构地区：[1]大连理工大学机械工程学院,大连116024

出　　处：《机械工程学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50390061)

年　　份：2003

卷　　号：39

期　　号：10

起止页码：100-105

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004188147636)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

关 键 词：超大规模集成电路 硅片 化学机械抛光 平坦化 制造  

分 类 号：TN47]