期刊文章详细信息
a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜
Polycrystalline silicon film obtained by solid-phase crystallization of a-Si:H film
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]韩山师范学院物理系,广东潮州521041 [2]浙江师范大学数理与信息科学学院,浙江金华321004 [3]汕头大学物理系,广东汕头515063
年 份：2002
卷 号：25
期 号：3
起止页码：246-249
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、JST、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：利用固相晶化法获得多晶硅薄膜 (退火温度 70 0～ 80 0℃ ) ,采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析 .研究结果表明 :晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加 ;并且退火后薄膜暗电导率提高了 2～
关 键 词：多晶硅薄膜 固相晶化法 α—Si:H薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度
分 类 号：O484.1]
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