文献类型：期刊文章

作　　者：胡坤宏[1] 沃恒洲[1] 韩效钊[2] 胡献国[2]

机构地区：[1]合肥工业大学摩擦学研究所,安徽合肥230009 [2]合肥工业大学化学工程学院,安徽合肥230009

出　　处：《现代化工》

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目 (0 0 0 4 61 0 3)

年　　份：2003

卷　　号：23

期　　号：8

起止页码：14-17

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：从还原法、分解法、氧化法、电化学法等方面入手 ,评述了化学法制备纳米二硫化钼的现状。介绍了用单层MoS2 重堆积制备纳米插层化合物 (夹层化合物 )的方法 ,包括制备的机理、客体物质的种类及MoS2 插层化合物的性能与应用等。简要介绍了二硫化钼的结构、性质与功能以及制备纳米MoS2 的物理方法。最后对各种制备方法的优缺点进行了分析与对比 ,并展望了纳米MoS2 的制备技术与方法的发展前景 ,强调纳米MoS2 的制备应是多种方法相结合 。

关 键 词：纳米二硫化钼 重堆积法  纳米插层化合物  化学法 纳米材料

分 类 号：TQ136.12] TB383[材料类]