文献类型：期刊文章

作　　者：王晓华[1] 范希武[1] 李柄生[1] 张吉英[1] 刘益春[1] 吕有明[1] 申德振[1]

机构地区：[1]中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"863"计划(2001AA31112);国家自然科学重大基金(69896260);国家自然科学基金(60278031);中国科学院百人计划(60176003);中国科学院知识创新工程(ZT00Y18B)资助项目

年　　份：2003

卷　　号：14

期　　号：8

起止页码：783-786

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。

关 键 词：SI衬底 钝化  ZNO薄膜 氮化 薄膜质量  等离子增强化学气相沉积

分 类 号：O484.4]