期刊文章详细信息
外延KTN薄膜的Sol-Gel制备研究 ( EI收录)
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]湖北大学物理系,武汉430062
基 金：国家863计划资助
年 份：1992
卷 号：37
期 号：16
起止页码：1470-1472
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：KTa_(1-x)Nb_xO_3(简称KTN)固溶体具有良好的电光特性、非线性光学特性和热释电特性,KTN薄膜在光电子集成电路中有着良好的应用前景,可用于制作空间光调制器或二次谐波产生器件。 人们已进行过KTN单晶和陶瓷方面的工作,KTN晶体生长时存在铌含量的均匀性难以控制而使晶体质量下降性能变差的问题。
关 键 词：KTN薄膜 SOL-GEL法 外延生长
分 类 号：O484.1]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
