文献类型：期刊文章

作　　者：方泽波[1] 龚恒翔[1] 刘雪芹[1] 徐大印[1] 黄春明[1] 王印月[1]

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000

出　　处：《物理学报》

基　　金：甘肃省自然科学基金(批准号:ZS0 11 A2 5 0 5 0 C)资助的课题~~

年　　份：2003

卷　　号：52

期　　号：7

起止页码：1748-1751

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000183990700035)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000183990700035)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 。

关 键 词：多晶ZnO薄膜  结构  发光特性 退火 氧化锌薄膜 射频反应溅射法  半导体材料

分 类 号：O472.3]