文献类型：期刊文章

作　　者：赖珍荃[1] 李新曦[1] 俞进[1] 王根水[2] 郭少令[2] 褚君浩[2]

机构地区：[1]南昌大学物理学系,江西南昌330047 [2]中国科学院红外物理国家实验室,上海200083

出　　处：《南昌大学学报（理科版）》

基　　金：上海市自然科学基金资助项目(00ZE14071);江西省自然科学基金资助项目(0150016)

年　　份：2003

卷　　号：27

期　　号：1

起止页码：26-28

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、IC、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。

关 键 词：PZT铁电薄膜 薄膜结构  铁电性能 介电性能 后退火温度  射频磁控溅射 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜  

分 类 号：O484.43]