文献类型：期刊文章

作　　者：程军[1] 陈贵灿[1]

机构地区：[1]西安交通大学电子与信息学院微电子研究所,西安710049

出　　处：《微电子学与计算机》

基　　金：西安市科学技术计划基金资助项目(ZS200105)

年　　份：2003

卷　　号：20

期　　号：7

起止页码：67-70

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。

关 键 词：CMOS带隙基准电路  电源电压 专用集成电路 串联二极管  

分 类 号：TN492]