文献类型：期刊文章

作　　者：陈凤翔[1] 崔容强[1] 孟凡英[1] 林书铨[1] 唐敦乙[1] 罗售余[2]

机构地区：[1]上海交通大学物理系太阳能研究所,上海200240 [2]上海交通大学物理系光学与光子学研究所,上海200240

出　　处：《太阳能学报》

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：3

起止页码：340-343

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：太阳电池基区的少数载流子寿命是影响电池效率的重要因素之一。开路电压衰减法 (OCVD)具有直接、简单、重复性好等特点 ,可准确测量器件的少数载流子寿命。该文分别介绍了利用纳秒激光器和发光二极管 (LED)作为OCVD的光源 ,测量晶体硅太阳电池的少子寿命 ,结果发现可以利用脉冲信号发生器带动发光二极管作为脉冲光源 ,取代纳秒激光器 。

关 键 词：多晶硅太阳电池 开路电压衰减法 少数载流子寿命 测量  

分 类 号：TN307] TM914.4]