文献类型：期刊文章

作　　者：刘奎伟[1] 韩郑生[1] 钱鹤[1] 陈则瑞[2] 于洋[2] 饶竞时[2] 仙文岭[2]

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]首钢日电电子有限公司,北京100041

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：7

起止页码：758-762

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004078020796)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CMOS器件 ,从而实现高、低压 CMOS器件的集成 .此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 .

关 键 词：高压CMOS 0.5μm  兼容工艺  模拟  

分 类 号：TN432]