文献类型：期刊文章

作　　者：吕建国[1] 叶志镇[1] 黄靖云[1] 赵炳辉[1] 汪雷[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重大基础研究项目 (No.G2 0 0 0 0 683 -0 6);国家自然科学基金重点 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：7

起止页码：729-736

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004078020792)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 .

关 键 词：ZNO薄膜 退火处理 退火模型  结晶性能  

分 类 号：TN304.055]