期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]东北微电子研究所,沈阳110032
年 份:2003
卷 号:24
期 号:3
起止页码:1-3
语 种:中文
收录情况:ZGKJHX、普通刊
摘 要:本文介绍了国外 IGBT的发展情况及最新动态 ;分析了各种新结构技术 IGBT的特点 ;
关 键 词:绝缘栅双极晶体管 电力半导体器件 电力电子技术 IGBT 特点分析
分 类 号:TN322.8]
参考文献:
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