文献类型：期刊文章

作　　者：杨田林[1] 韩圣浩[2] 高绪团[1]

机构地区：[1]山东理工大学物理系,淄博255049 [2]山东大学物理与微电子学院,济南250100

出　　处：《光电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( No.60 1 760 2 1 )

年　　份：2003

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：78-82

语　　种：中文

收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：用磁控溅射法在水冷 PPA聚脂胶片上制备了性能优良的 ITO透明导电膜。本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响 ,合适的氩分压为 0 .5 Pa,在此条件下 ,制备的薄膜最小电阻率为 4.6× 1 0 -4Ω· cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 75 cm2 /( V· s) ,在可见光范围内相对透过率为 80 %左右 ,在红外区 ,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随氩分压的增大 ,[40 0 ]峰开始增强 ,[2 2 2 ]峰被削弱 ,薄膜呈现出混晶结构。 XPS谱分析表明随溅射分压的减小 ,薄膜中的氧空位浓度增大 。

关 键 词：磁控溅射 ITO透明导电薄膜  光电特性 氩分压  等离子体共振吸收  

分 类 号：TN304.055]