文献类型：期刊文章

作　　者：李俊杰[1] 王欣[1] 卞海蛟[1] 郑伟涛[1] 吕宪义[1] 金曾孙[1] 孙龙[2]

机构地区：[1]吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林大学材料科学系,吉林长春130023 [2]延边大学理工学院物理系,吉林延吉133002

出　　处：《发光学报》

基　　金：教育部和吉林省科学技术委员会基金资助项目

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：3

起止页码：305-308

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力。AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好。最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件。

关 键 词：磁控溅射 CNX薄膜 附着力 粗糙度 衬底偏压  碳氮薄膜 薄膜测量  

分 类 号：O484.5]