文献类型：期刊文章

作　　者：于凤梅[1] 郭康贤[1] 谢洪鲸[1] 俞友宾[1]

机构地区：[1]广州大学桂花岗校区物理系,广东广州510405

出　　处：《发光学报》

基　　金：广东省自然科学基金资助项目 (0 11835)~~

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：3

起止页码：247-252

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。

关 键 词：MORSE势阱 光吸收系数  密度矩阵算符理论  迭代方法 子带间  

分 类 号：O472.3]