期刊文章详细信息
半导体材料的发展现状
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京新材料发展中心,北京100083
年 份：2003
期 号：6
起止页码：6-10
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。
关 键 词：半导体材料 发展现状 多晶硅 单晶硅 砷化镓 氮化镓
分 类 号：TN304]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
