文献类型：期刊文章

作　　者：成立[1] 张荣标[1] 李彦旭[1] 董素玲[2]

机构地区：[1]江苏大学电气信息学院,镇江212013 [2]徐州建筑职业技术学院机电工程系,徐州221008

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：江苏省高校自然科学研究基金项目 ( 0 2 KJB5 10 0 0 5 )

年　　份：2003

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：210-213

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 。

关 键 词：施密特触发器 BICMOS 全摆幅输出  双极互补金属氧化物半导体器件  延时—功耗积  超大规模集成电路

分 类 号：TN783]