文献类型：期刊文章

作　　者：景玉鹏 前中一介 藤田孝之 高山洋一郎

机构地区：姬路工业大学大学院,日本兵库姬路书写2167,671-2201

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2003

卷　　号：40

期　　号：6

起止页码：33-38

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：将非金属元素碘作为硅的KOH腐蚀液的添加物,在对(100)和(110)单晶硅片的各向异性腐蚀中,获得了更为丰富的异向腐蚀特性和更为光滑的腐蚀表面.当温度在95℃,KOH腐蚀液中碘的摩尔比为0.5时,得到了粗糙度均小于10 nm的Si-(100)和(110)光洁表面,两晶面的腐蚀速率均为1.4μm/min.这两晶面在相同的条件下同时达到最佳光洁度,说明腐蚀速率是获得高光洁度表面的关键.实验还证明碘在热碱溶液中的稳定性和持久性要高于现在已被大量研究的双氧水和过硫等,尤其是对硅(110)表面光洁度的改善具有积极的促进作用.

关 键 词：碘添加物  氢氧化钾刻蚀  表面光洁度 各向异性腐蚀 KOH 110晶面  晶面腐蚀  

分 类 号：TN304.12]