文献类型：期刊文章

作　　者：吕敏峰[1] 崔作林[1] 张志焜[1]

机构地区：[1]青岛化工学院纳米材料研究所,山东青岛266042

出　　处：《材料科学与工程学报》

年　　份：2003

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：224-227

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+ 离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现 ,当Al3+ 离子掺杂浓度为 0 8%时 ,前处理温度为 40 0℃ ,退火温度为 5 5 0℃ ,真空退火温度为 5 5 0℃时 ,薄膜具有较好的导电性 ,电阻率为 3 0 3× 10 - 3Ω·cm ,其在可见光区的透过率超过 80 %。

关 键 词：SOL-GEL法 制备  透明导电薄膜 氧化锌 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂  性能  

分 类 号：TN304.21] TN304.055