文献类型：期刊文章

作　　者：廖华[1,2] 林理彬[1] 刘祖明[3] 陈庭金[3]

机构地区：[1]四川大学物理系辐射物理及技术国家教育部重点实验室 [2]云南师范大学太阳能研究所,昆明650092 [3]云南师范大学太阳能研究所

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：云南省省院省校合作资助项目 ( 99YSJ0 1)

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：2

起止页码：264-268

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。计算结果表明 :对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池 ,要获得 10 %的效率 ,薄膜厚度至少应大于 2 2 μm ;晶粒尺寸大于薄膜厚度的 4倍时 ,晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略 ;同时表明 :太阳电池的背表面场 (BSF)

关 键 词：多晶硅薄膜 晶粒尺寸 厚度 太阳电池

分 类 号：TM615]