文献类型：期刊文章

作　　者：杨鑫[1,2] 谭开洲[2] 黄绍春[3] 李荣强[4]

YANG Xin;TAN Kaizhou;HUANG Shaochun;LI Rongqiang(College of Optoelec.Engineer.,Chongqing Univ.of Posts and Telecommun.,Chongqing400065,P.R.China;Sci.and Technol.on Analog Integr.Circ.Lab.,Chongqing400060,P.R.China;The 44th Research Institute of China Elec.Technol.Group Corp.,Chongqing400060,P.R.China;The 24th Research Institute of China Elec.Technol.Group Corp.,Chongqing400060,P.R.Chin)

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆4000604 [4]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(Y081109)

年　　份：2019

卷　　号：0

期　　号：3

起止页码：346-350

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W-1·cm-2和0.31 A·W-1·cm-2。

关 键 词：光电集成 高低压 光电探测器 BiCMOS信号处理器  

分 类 号：TN15]