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半导体激光器输出波长随工作电流变化的实验研究 ( EI收录)
Experimental investigation of the change of semiconductor laser output wavelength corresponding to operation current
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]大连理工大学物理系
基 金:国家自然科学基金资助项目(69787001;69889701);及辽宁省科技厅资助项目(20022110)
年 份:2003
卷 号:32
期 号:2
起止页码:144-147
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:以2W连续红外(980nm)半导体激光器(InGaAs)和120mW连续红外(980nm,带制冷器与尾纤)半导体激光器(InGaAsP)为例,测量激光器输出光束的波长随工作电流变化的规律。实验结果表明:工作电流增加,光束波长向长波红移,斜率分别近似为0.374nm/100mA、0.220nm/10mA;工作电流大时的红移现象比电流小时明显。
关 键 词:半导体激光器 工作电流 波长 红移
分 类 号:TN248.4]
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