文献类型：期刊文章

作　　者：刘昶时[1] 赵元富[2] 刘芬[3] 陈萦[3] 王忠燕[3] 赵汝权[3]

机构地区：[1]中国科学院新缰物理研究所,乌鲁木齐830011 [2]航天工业部骊山微电子学研究所 [3]北京理化分析测试中心

出　　处：《核技术》

基　　金：北京中关村地区联合分析测试中心基金

年　　份：1992

卷　　号：15

期　　号：9

起止页码：554-558

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。

关 键 词：加固  非加固  电离辐照 XPS 硅

分 类 号：TN304.12]