文献类型：期刊文章

作　　者：张立[1] 谢洪鲸[2] 陈传誉[2]

机构地区：[1]番禺职业技术学院电子与机械系,番禺511483 [2]广州大学物理系,桂花岗校区广州510405

出　　处：《光子学报》

基　　金：SupportedbyNaturalScienceFoundationofGuangdongProvince

年　　份：2003

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：437-440

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。

关 键 词：二阶非线性光学极化率  半抛物量子阱  电场强度 光整流系数  紧致密度矩阵方法  数值计算  量子光学

分 类 号：O431.2]