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碳纳米管膜的压阻效应 ( EI收录)
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆大学数理学院应用物理系,重庆400044
年 份：2003
卷 号：48
期 号：1
起止页码：26-28
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究.实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成,压阻效应用3点弯曲法测量.研究发现:在室温下与500微应变时,碳纳米管膜的压阻因子至少是65,超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30.并且,碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大.还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制.
关 键 词：碳纳米管膜 压阻效应 气相沉积法 3点弯曲法 压阻因子 传感器件
分 类 号：TB383[材料类]
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