文献类型：期刊文章

作　　者：王守国[1,2] 张义门[1] 张玉明[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所 [2]西北大学电子系 西安 710069

出　　处：《电子科技大学学报》

基　　金：国防预研基金资助项目;编号:8.1.7.3 ~~

年　　份：2003

卷　　号：32

期　　号：2

起止页码：203-206

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kW/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻rc为7.1×10-4 Wcm2。

关 键 词：SIC 碳化硅 离子注入 欧姆接触 方块电阻

分 类 号：TN304.24]