期刊文章详细信息
宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展
New progress in wide and ultra-wide bandgap semiconductor devices
文献类型：期刊文章
HAO Yue
机构地区：[1]国家自然科学基金委员会信息科学部,北京100084 [2]西安电子科技大学微电子学院,西安710126
年 份：2019
卷 号：37
期 号：3
起止页码：58-61
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RWSKHX、UPD、ZGKJHX、核心刊
摘 要：宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。
关 键 词：宽禁带半导体 超宽禁带半导体 金刚石 氧化镓
分 类 号：TN303]
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