期刊文章详细信息
中子管靶面二次电子抑制 ( EI收录)
Principle and method of controlling second production of electrons from target surface
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]大连大学物理系,辽宁大连116622
年 份：2003
卷 号：23
期 号：2
起止页码：107-110
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 (负电压 ) ,使靶表面发射的二次电子受到抑制 ,从而使中子管达到更好的工作状态。
关 键 词：中子管 靶 抑制电压 二次电子
分 类 号：O571.5]
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