文献类型：期刊文章

作　　者：富丽晨[1] 李野[1] 姜德龙[1] 端木庆铎[1] 田景全[1]

机构地区：[1]长春理工大学光电子技术研究所,吉林长春130022

出　　处：《红外技术》

年　　份：2003

卷　　号：25

期　　号：2

起止页码：51-53

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：首先介绍了新型半导体光电位敏器件 (PSD)的独特优点。同时根据极微弱光探测的应用需求 ,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD ,研究了它的制作原理 ,并对已制出的器件进行了半导体增益测试 ,其结果是入射电子能量 2keV时增益大于 10 2 ;5keV时增益可达 10 3 ,证实了这种器件的优越性。还将 (EB PSD)器件和微通道板相结合 ,充分利用微通道板的高增益特性 ,提出了电子增益高达 10 8的MCP PSD管设计方案 ,并制出了样管 ,指出这种器件可用于低于 10

关 键 词：PSD器件 电子轰击型器件  光子计数 极微弱光图像探测  位敏探测器  

分 类 号：TN362]