期刊文章详细信息
AlGaAs/GaAs多量子阱结构中受激载流子的飞秒弛豫特性 ( EI收录)
Femtosecond relaxation of excited carriers in AlGaAs/GaAs multiple quantum wells
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中山大学激光与光谱学研究所,广州510275
基 金:国家自然科学基金会的资助
年 份:1992
卷 号:12
期 号:5
起止页码:390-395
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:1992090594726)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:本文介绍采用飞秒饱和吸收测量技术研究Al_xGa_(1-x)As/GaAs多量子阱结构中受激载流子的超快弛豫特性.当激发光子能量大于样品势垒层能带隙时,受激产生于势垒层和势阱层连续态中的载流子分别在130和30fs时间内离开受激态,弛豫至准平衡态.势垒中的载流子被捕至势阱束缚态的情况主要发生于热载流子的冷却和复合过程的皮秒级时间内.
关 键 词:多量子 势阱 受激载流子 驰豫
分 类 号:O471]
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