文献类型：期刊文章

作　　者：王翔[1] 张大成[1] 李婷[1] 王玮[1] 阮勇[1] 李修函[1] 王小保[1] 杜先锋[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (合同号 :G19990 3310 8)~~

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：3

起止页码：332-336

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论 .

关 键 词：金 硅 共晶键合 压阻式加速度计  封装

分 类 号：TH824.2[仪器类]