文献类型：期刊文章

作　　者：吕威[1,2] 沈绪超[1]

LUY Wei;SHEN Xuchao(School of Materials Science&Engineering,Changchun University of Technology,Changchun 130012,China;Advanced Institute of Materials Science,Changchun University of Technology,Changchun 130012,China)

机构地区：[1]长春工业大学材料科学与工程学院,吉林长春130012 [2]长春工业大学材料科学高等研究院,吉林长春130012

出　　处：《长春工业大学学报》

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61574021)

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：1-7

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、普通刊

摘　　要：ZnO作为一种新型的宽禁带半导体,在紫外光电探测领域有着重要应用价值。基于ZnO的紫外光电探测器的器件性能在很大程度上取决于ZnO的形貌调控。通过水热合成方法制备了三种形貌的纳米ZnO结构:ZnO纳米线、ZnO纳米棒、ZnO纳米颗粒,并基于三种形貌结构分别制备了紫外光探测器件,分析并探讨了影响紫外光电探测器性能的关键因素,旨在得到光响应率、响应时间、开关比最佳的ZnO形貌。结果表明,ZnO纳米线为基础的器件性能优于其他两种ZnO结构。

关 键 词：ZNO 水热合成 紫外光探测  光响应率  

分 类 号：TN23] TB383.1[材料类]