文献类型：期刊文章

作　　者：朱洪强[1] 陈亚丽[2] 霍雅洁[3]

ZHU HongQiang;CHEN YaLi;HUO YaJie(College of Physics and Electronic Engineering,Chongqing Normal University,Chongqing401331,China;Department of Electrical and Electronic Engineering,Luohe Vocational Technology College,Luohe462000,China;Mathematical Teaching Department,College of Mobile Telecommunications,Chongqing University of Posts and Telecom,Chongqing401520,China)

机构地区：[1]重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331 [2]漯河职业技术学院电气电子工程系,漯河462000 [3]重庆邮电大学移通学院数理教学部,重庆401520

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》

基　　金：国家自然科学基金(编号:11874305);集成光电子学国家重点实验室课题(编号:IOSKL2017KF19);重庆市教委科学技术研究计划(编号:KJQN201800510);重庆市基础研究与前沿探索项目(编号:cstc2018jcyjAX0820)资助

年　　份：2019

卷　　号：49

期　　号：7

起止页码：99-106

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文制备了基于红荧烯(Rubrene)材料的有机发光二极管(OLED),并利用磁电致发光效应(MEL)分析了高温环境对器件中激子演化的影响.器件的MEL在高、低外加磁场范围内的线型特征表明,室温下激子的演化以单重态激子分裂(STT)过程为主,而在420 K环境温度下,器件的STT过程减弱,但出现了系间窜越(ISC)这一激子演化过程.结合器件的表面形貌、发光-电流特性、电流效率和光谱,我们认为高温环境导致Rubrene薄膜中产生了大量的结构缺陷,限制了器件内部极化子对和激子的扩散,提高了单重态和三重态极化子对间的转换效率,从而导致高温环境下出现不利于内量子效率的ISC过程.但缺陷对激子的俘获作用会抑制单重态激子向三重态激子的转换,导致STT过程在高温环境下减弱,从而提升器件的内量子效率.本研究不仅有利于理解高温环境对Rubrene型OLED器件中激子演化过程的影响,还提供了一种利用有机发光磁效应无损探测器件发光层结构改变的技术方案.

关 键 词：有机发光二极管 环境温度 激子演化过程  

分 类 号：TN383.1]