文献类型：期刊文章

作　　者：袁庆贺[1,2] 井红旗[1] 张秋月[1] 仲莉[1] 刘素平[1] 马骁宇[1]

Yuan Qinghe;Jing Hongqi;Zhang Qiuyue;Zhong Li;Liu Suping;Ma Xiaoyu(National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;College of Materials Science and Optoelectronics,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京100083 [2]中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：大功率半导体激光器技术(41414010302)

年　　份：2019

卷　　号：56

期　　号：4

起止页码：35-48

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：综述了世界各国近年来在大功率半导体激光器方面所取得的研究成果,重点介绍了砷化镓基近红外大功率半导体激光器在输出功率、亮度、电光转换效率、光束质量、寿命与可靠性方面的研究进展。结合目前市场分析,详细阐述了半导体激光器的应用前景,展望了未来大功率半导体激光器的发展趋势。

关 键 词：激光器 大功率半导体激光器 输出功率 光束质量 可靠性  

分 类 号：TN248.4]