文献类型：期刊文章

作　　者：陈图淼[1] 聂宗秀[2]

机构地区：[1]九江学院物理与信息工程系,九江332000 [2]中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉430071

出　　处：《量子电子学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(19904013和19904014)

年　　份：2003

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：51-54

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于以前的研究结果,采用函数级数展开法,研究了Paul阱中在非理想射频囚禁场作用下、考虑二次谐波φ=U-V1cosΩt-Vscos 2Ωt时囚禁离子运动特性,得到了单个囚禁离子运动Mathieu方程的解析解和z方向离子运动的特征频率(宏运动,微运动)随倍频参数的变化规律。

关 键 词：离子  运动特性 倍频效应 PAUL阱 非理想射频囚禁场  

分 类 号：O562.3]