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高亮度GaN基蓝色LED的研究进展
Progress in the Study of High Brightness BlueGaN-based LEDs
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华南理工大学光通信材料研究所,广州510641
基 金：广东省2002年科技计划项目(2002B11604)资助课题
年 份：2003
卷 号：20
期 号：1
起止页码：10-17
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、RSC、ZGKJHX、核心刊
摘 要：超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文综合分析了了GaN材料的特性及相应的材料生长和欧姆接触、刻蚀工艺等关键技术,并对GaN基蓝色LED器件的进一步改进及应用前景作了展望。
关 键 词：高亮度 GAN 蓝色LED 欧姆接触 刻蚀 发光二极管 氮化镓 发展现状 外延生长
分 类 号：TN312.8]
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