文献类型：期刊文章

作　　者：胡志华[1,2] 廖显伯[1] 曾湘波[1] 徐艳月[1] 张世斌[1] 刁宏伟[1] 孔光临[1]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京100083 [2]云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (973 ) (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~

年　　份：2003

卷　　号：52

期　　号：1

起止页码：217-224

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000180915400040)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000180915400040)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响应或短路电流密度 (JSC)对缓冲层的厚度较为敏感 .对不同能带补偿 (bandgapoffset)的情况所进行的模拟分析表明 ,随着ΔEc 的增大 ,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除 ,当ΔEc达到 0 5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖 .界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究 .最后计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1)的理论极限效率 ηmax=31 17% (AM1 5 ,10 0mW cm2 ,0 4 0— 1 10 μm波段 ) .

关 键 词：数值模拟  nc-Si:H/c-Si异质结  太阳电池 计算机模拟  光伏特性 纳米硅/晶体硅异质结  

分 类 号：TM914]