文献类型：期刊文章

作　　者：罗志[1] 林璇英[1] 林舜辉[1] 余楚迎[1] 林揆训[1] 余云鹏[1] 谭伟锋[1]

机构地区：[1]汕头大学物理系,汕头515063

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 0 )资助的课题~~

年　　份：2003

卷　　号：52

期　　号：1

起止页码：169-174

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000180915400031)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000180915400031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .

关 键 词：氢化非晶硅薄膜 红外吸收谱 氢含量 硅-氢键合模式  

分 类 号：O484.1]